Intel udvikler ny super-transistor

Chipgiganten Intel har i samarbejde med QinetiQ lavet en ny super-transistor, der i kraft af at være baseret på et nyt materiale kan give 50 procent større ydelse og kan reducere strømforbruget med 90 procent. Det skriver den norske nyhedstjeneste digi.no.

Den nye transistor benytter en indium-antimonlegering (InSb) til at optimere ledningsevnen, og ifølge Intel er prototypen meget hurtigere og bruger væsentlig mindre strøm end alle hidtil kendte transistorer. Intel forventer at bruge InSb som et supplement til silicium-kerner og regner derfor med at kunne forlænge levetiden på Moores lov, der siger, at det gennemsnitlige antal transistorer på en mikrochip bliver fordoblet hver 18. måned.

»Resultaterne af denne forskning forstærker vores tro på, at vi kan fortsætte med at følge Moores lov også efter 2015. Ved at tilbyde 50 procent mere ydelse og samtidig reducere effekten med 90 procent vil dette nye materiale give os betydelig fleksibilitet, fordi vi vil få mulighed for at optimere både ydelse og effektforrug på fremtidige platforme,« siger direktør for komponentforskningen i Intels Technology and Manufacturing Group, Ken David, i en pressemeddelelse.

Intel forventer, at InSb kan danne grundlag for fremtidige mikroprocessorer, men skriver i pressemeddelelsen, at teknologien tidligst vil blive taget i brug fra 2016.